Samsung prepara SSD de 1.000GB (1 PetaByte) gracias a la ferroelectricidad para crear memorias NAND Flash ¡con 1.000 capas

Que los coreanos van a dominar las próximas dos décadas en NANDFlash y DRAM ni cotiza en estos momentos. Son los reyes, controlan
prácticamente todo el mercado con permiso de Micron y EE.UU. y si
nada falla, en el VLSI 2024
presentarán uno de los mayores avances en este campo. Y es que
Samsung podrá crear un SSD con NAND Flash de 1.000
capas para acercarse al sueño del Petabyte de capacidad
gracias a lo que denominan como ferroeléctricos de
Hafnia.

 

 

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